我們生產的為非晶矽薄膜太陽能電池，了解 PECVD設備及工藝（yì）需要對真空（kōng）鍍膜有一個了解，並且對半導體物理及（jí）薄膜知識有一定的認識。不同設備和（hé）不同類型規格的（de）薄膜（mó）要采用適當的分切工藝，設備狀況變化時也可以通過工藝調整給予彌補（bǔ），但工藝（yì）調整必須謹慎。我們先對進口（kǒu）真空泵及薄膜的基礎概念做一個粗略的了解。

關（guān）於進口真空泵及薄膜的基礎概（gài）念，東（dōng）莞市（shì）91污真空科技有限公司分為兩個方麵進行分析。

關於薄膜的基礎（chǔ）概念，有以下幾個方麵（miàn）。

①薄膜：在嚴格的學術意義上，認為（wéi）隻有（yǒu）聚（jù）集厚（hòu）度小於某一特征厚度的材料才是真正的（de）薄膜，否則便是一般的薄材料。

②特征厚度（dù）：是利用物（wù）質的某些基本性質在物質聚集（jí）厚度很薄的（de）情況下會發生異常變化（huà）的現象而確（què）定的，即當被選定為參考的某一物理性質或機械性質（zhì）開始顯示出不同於它通常所具有的特點時的厚度，便是給（gěi）物質的薄膜特征厚度。可以認為薄膜是一種二維的（de）材料。

③沉（chén）積技術（shù）：

氣相沉積（將構成薄膜的物質氣化後在沉積（jī）到（dào）襯底上）。

液相沉積（在液體中沉積鍍膜）。

氣相沉積：比較容（róng）易控製薄（báo）膜的組分。

液相沉積：在（zài）接近於熱平衡的條件下成膜，能獲得較（jiào）妤的膜（mó）質。

薄膜的主要性能

①膜厚：越均勻越妤，一般應（yīng）控（kòng）製在一（yī）個範圍（wéi）以內比如5%，這（zhè）與玻璃（lí）基板尺寸（cùn）有關。

②膜表麵形貌：通過掃描電子顯微鏡（SEM）投射電子顯微鏡（TEM）等（děng）分析表明顆粒狀態，可獲得薄膜表麵（miàn）的致密情況，缺陷狀態，退火處理對膜表麵的影響等信息。

③膜機構特性：用Ⅹ射線衍射分析膜的組成成（chéng）分，可獲得膜的純度等信息。

膜應力：薄膜內部的應力越小越（yuè）好，通（tōng）過退火處理可（kě）最大程度的釋（shì）放膜的內（nèi）部應力。

④膜與襯底的接觸特（tè）性：主要是指薄膜與襯底之間的附著力，當然附著力越強越好，可避免薄膜出現缺失，開路等。

⑤膜的致密性：主要指的是膜層的硬度和抗磨性。避免外界劃傷引起的開路現膜的化學（xué），熱穩定性。

⑥針對金屬膜層：要求製備出的（de）金屬膜層的（de）電阻率盡可能低，接近體電阻率。

關於進口真空泵的基（jī）礎概念（niàn）

①真空：低於一個大氣壓的狀態就是真空。

②真空（kōng）度：真空狀態下氣體（tǐ）的稀薄（báo）程度。

③標準環境條件：溫（wēn）度20°C，相對濕度65%，大氣壓力101325Pa。

④真（zhēn）空特點：氣（qì）體分子平均自由程大；單位麵積上分子與（yǔ）固體表麵碰撞幾率變小；氣體分子密度低；剩餘氣體對沉積（jī）膜的摻雜減小。要想獲得高品質的薄膜就（jiù）必（bì）須（xū）有一個比較理想的本底真空（kōng）。

進口（kǒu）真空泵的不同真空狀態下真空（kōng）工藝應用

⒈粗真空（kōng）（10000-1000Pa）：氣體狀態與常壓相比隻是分子數量的減少，沒有氣體空間特性的變（biàn）化，分子間碰撞頻繁，此時的吸附氣體釋放可以不予考慮（lǜ），氣體運動（dòng）以粘滯流為主。主要（yào）是利用壓（yā）力差產生的力來實現真空力學應用（真空吸引或運輸固體（tǐ）、液體、膠體等真空吸盤起重，真空過（guò）濾）

⒉低真空（1000-0.1Pa）：氣體分子間，分子與器壁間碰撞不相上下，氣體分子密度較（jiào）小，氣體釋放也可（kě）不考慮，氣體運動以中間流為主。利用氣體（tǐ）分子密度（dù）降低可實現（xiàn）無氧化加（jiā）熱，利用氣壓（yā）降低時氣（qì）體的熱傳導和對流逐漸消（xiāo）失的原理可以（yǐ）實現真空隔熱及絕緣，利用壓（yā）強降（jiàng）低液體沸點也降低的原（yuán）理實現真空（kōng）冷凍和真空幹燥（黑色金屬真空熔煉脫氣（qì），真空絕緣和真空隔（gé）熱，真空冷凍及千燥，高速空氣動力學實驗中的低壓風洞）。

⒊高真空（0.1-0.0001Pa）：氣體分（fèn）子間相互碰撞極少，氣體分子與器壁間碰撞頻繁，氣體運動以分（fèn）子流為主，此（cǐ）時（shí）的氣體釋放是影響真空度及抽氣時（shí）間的一個主要原因。利（lì）用（yòng）氣體分子密度低，任何物質與氣體（tǐ）殘餘分（fèn）子發（fā）生化學（xué）作用（yòng）微弱的特點進（jìn）行真空冶金（jīn），真空鍍膜（超純金屬、半導（dǎo）體（tǐ）材料的真空提純及精製，真空鍍膜，離子注入、幹法刻蝕等表麵改性，真空器件的生產：光電管、各種粒子加速器等）。

⒋超高真（zhēn）空（>0.0000Pa）：氣體分子與器壁（bì）的碰撞次數極少，氣體空間隻有（yǒu）固體本身（shēn）的原子，幾部沒（méi）有別的分子或原子的存（cún）在，此時壓強的升高除了泄漏外主要就是器壁（bì）分子的釋放。應用：宇宙空間（jiān）環境的模擬，大型同步質子加速器的運轉。